设计了一种适合于高gn值压阻式微加速度计圆片级封装的结构,解决了芯片制造工艺过程中电极通道建立、焊盘保护、精确划片等关键技术。采用玻璃—硅—玻璃三层阳极键合的方式进行圆片级封装,较好地解决了芯片密封性、小型化和批量化等生产难题。在4 in生产线上制作的高gn值压阻式微加速度计样品,尺寸仅为1对传感器进行的校准与抗冲击性能测试,结果表明:样品具备105gn的抗冲击能力、0.15μV/gn/V的灵敏度以及200 kHz的谐振频率。所示，本研究的封装对象是典型的悬臂梁加质量块结构的高gn值压阻式微加速度计敏感芯片。其核心部分是可动的，封装过程必须对可动结构加以密封保护，防止异物进入影响梁和质量块的自由运动。由于高gn值压阻式微加速度计在工作时需要供电，而且测得的信号还需要输出，这些都必须通过制作在芯片上的焊盘来实现。因此，在密封的同时还要确保焊盘不被覆盖，否则，后续的引线键合工艺将无法进行。在“密封”的同时考虑“开放”，这往往就成为封装工艺的难点之一。图1高gn值压阻式微加速度计敏感芯片结构图小型化研究表明:小型化是提高传感器抗冲击能力的有效手段，制作与测试-数控滚圆机滚弧机价格低电动张家港滚圆机多少钱这就对封装提出了更高的要求。由于封装技术的落后，往往导致最终失去了器件和系统微型化所带来的优点，这一点对高冲击传感器来说很可能是致命的。3)批量化使用机械化自动操作来进行圆片级的封装，有利于提高封装的可靠性和稳定性  本文由张家港市泰宇机械有限公司大棚滚弧度机网站采集网络资源整理!   http://www.dapenggunhuji.com/ ，提高工作效率、降低成本。1．2封装结构为了有效地保护芯片、提高器件的抗冲击能力，本文提出了一种采用玻璃—硅—玻璃键合的三层式结构，如图2所示。加速度计的检测部分制作在中间硅层上，底层玻璃衬底和上层玻璃盖板一起保护中间结构层，而且给质量块和悬臂梁留有运动间隙，同时上层玻璃盖板具有与中间硅层上的电极引线相对应的精密引线槽。图2三层式结构示意图整片键合示意图见图3。整片键合的实现可以通过2次双层硅—玻璃阳极键合来完成，也可以通过一次三层玻璃—硅—玻璃阳极键合来完成。焊盘通道的建立可以通过精确的划片来实现。2制作工艺2．1芯片制作工艺过 对传统微机械"固—固"型触点开关存在触点磨损、接触不稳定、导通电阻大、抗干扰能力差等缺点,设计制作了一种利用水银液滴在变矩形截面微通道中的流动来实现通断的微流体惯性开关。利用阳极键合和DRIE技术制作了开关微通道,采用溅射沉积方式沉积了Cr金属薄膜,分别通过离心转台和加速度传感器测试了开关的准静态阈值和冲击阈值,实验测试结果分别为8.525,5.09 gn。实验结果表明:冲击阈值较准静态阈值小。 制作与测试-数控滚圆机滚弧机价格低电动张家港滚圆机多少钱  本文由张家港市泰宇机械有限公司大棚滚弧度机网站采集网络资源整理!   http://www.dapenggunhuji.com/